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砷化镓(GaAs)晶体

   

    半绝缘砷化镓(GaAs)晶体具有较低的红外吸收系数及良好的力学和热学性能,在光学界被广泛应用在红外激光领域,尤其在波长位置10.6μm的CO2激光器.

 
 
    大恒光学薄膜公司生长的砷化镓晶体材料, 是采用高纯度原材料,进行深受主轻掺杂,在高压单晶炉内快速合成并原位直拉制成。所得到的半绝缘晶体电阻率ρ≥107Ω·cm,经双面抛光未镀膜的透过率T≥55%@10.6μm。该材料同时具有良好的热稳定性,用它制成的镜片可以承受高达10000瓦以上的连续激光的考验。
 
 

 

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